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  • 型号: BSC057N08NS3 G
  • 制造商: Infineon
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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BSC057N08NS3 G产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供BSC057N08NS3 G由Infineon设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 提供BSC057N08NS3 G价格参考以及InfineonBSC057N08NS3 G封装/规格参数等产品信息。 你可以下载BSC057N08NS3 G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书, 资料中有BSC057N08NS3 G详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 80V 100A TDSON-8MOSFET OptiMOS2 PWR Transistor N-CH

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

100 A

Id-连续漏极电流

100 A

品牌

Infineon Technologies

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Infineon Technologies BSC057N08NS3 GOptiMOS™

数据手册

http://www.infineon.com/dgdl/BSC057N08NS3G_rev2.4.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431add1d95011ae803c9345616

产品型号

BSC057N08NS3 G

PCN其它

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Pd-PowerDissipation

2.5 W

Pd-功率耗散

2.5 W

Qg-GateCharge

56 nC

Qg-栅极电荷

56 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

5.7 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

5.7 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

80 V

Vds-漏源极击穿电压

80 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

3.5 V

Vgsth-栅源极阈值电压

3.5 V

上升时间

14 ns

下降时间

9 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

3.5V @ 73µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

3900pF @ 40V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

56nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

5.7 毫欧 @ 50A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

PG-TDSON-8(5.15x6.15)

其它名称

BSC057N08NS3 GDKR

典型关闭延迟时间

32 ns

功率-最大值

114W

包装

Digi-Reel®

商标

Infineon Technologies

商标名

OptiMOS

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

8-PowerTDFN

封装/箱体

TDSON-8

工厂包装数量

5000

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

正向跨导-最小值

80 S, 40 S

漏源极电压(Vdss)

80V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

16A (Ta), 100A (Tc)

系列

BSC057N08

通道模式

Enhancement

配置

Single Quad Drain Triple Source

零件号别名

BSC057N08NS3GATMA1 SP000447542

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